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高速存儲模塊HYW-CCB-GC
【產(chǎn)品簡介】
高速存儲模塊采用ANSI/VITA78.0標準化設(shè)計，基于EMMC陣列、FPGA、數(shù)據(jù)接收和數(shù)據(jù)輸出等模塊組成的大容量存儲模塊，可為VPX機箱其他單元模塊提供大容量存儲，用來實現(xiàn)載荷數(shù)據(jù)、情報數(shù)據(jù)、階段處理數(shù)據(jù)、單機運行日志等數(shù)據(jù)的存儲備份。
【產(chǎn)品組成】
圖2 產(chǎn)品組成框圖
高速存儲模塊采用FPGA+DDR陣列+EMMC陣列架構(gòu)設(shè)計，通過FPGA的邏輯設(shè)計的144位DDR4內(nèi)存控制器、EMMC陣列存儲控制器、SRIO SERDES控制器，實現(xiàn)高速存儲模塊、高速數(shù)據(jù)輸入輸出模塊，高速數(shù)據(jù)緩存模塊等功能。
EMMC陣列采用12片8位的64GB EMMC存儲器，實現(xiàn)64位+32位存儲陣列，支持HS200模式，單個I/O讀寫帶寬可達200MB/s,64位總線則理論最大讀寫帶寬為200*8=1600MB/s。但讀寫帶寬不止是單純的看總線帶寬，還需要考慮FPGA數(shù)據(jù)接收、輸出、緩存等模塊的速率。為提高讀寫速率，模塊采用SRIO作為高速存儲板高速數(shù)據(jù)輸入輸出接口，SRIO接口作為存儲板對內(nèi)輸入輸出高速接口，144位DDR3陣列作為高速緩存單元，從而實現(xiàn)高速存儲流程。
【產(chǎn)品功能】
1) 提供不小于512GB的存儲容量，支持一個主機存儲數(shù)據(jù)，多個主機訪問數(shù)據(jù)；
【產(chǎn)品性能】
? 有效容量：≥512GB；
? 支持數(shù)據(jù)讀取、回放校驗；
? 支持數(shù)據(jù)冗余存儲；
? 最大支持4個SRIO x4端口，端口速率最大支持20Gbps；
? 記錄數(shù)據(jù)碼率：≥5Gbps；
? 記錄誤碼率：優(yōu)于1×10-10;
? 存儲/緩存單元容量
1) DDR3：10GB；
2) QSPI：256M-bit Serial Flash；
3) EMMC：768GB；
? 電源：12VDC，4000mA；
? 物理尺寸：234*174*24mm（帶外殼）；
【應用領(lǐng)域】
產(chǎn)品廣泛應用于星載/箭載/機載等航空電子設(shè)備、地面設(shè)備等需要用到高速輸入、高速存儲的場合，可存儲各個單機模塊的數(shù)據(jù)，組合完成不同任務(wù)。
4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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