【產(chǎn)品組成】

  圖2 產(chǎn)品組成框圖

高速存儲模塊采用FPGA+DDR陣列+EMMC陣列架構(gòu)設(shè)計，通過FPGA的邏輯設(shè)計的144位DDR4內(nèi)存控制器、EMMC陣列存儲控制器、SRIO SERDES控制器，實現(xiàn)高速存儲模塊、高速數(shù)據(jù)輸入輸出模塊，高速數(shù)據(jù)緩存模塊等功能。

EMMC陣列采用12片8位的64GB EMMC存儲器，實現(xiàn)64位+32位存儲陣列，支持HS200模式，單個I/O讀寫帶寬可達(dá)200MB/s,64位總線則理論最大讀寫帶寬為200*8=1600MB/s。但讀寫帶寬不止是單純的看總線帶寬，還需要考慮FPGA數(shù)據(jù)接收、輸出、緩存等模塊的速率。為提高讀寫速率，模塊采用SRIO作為高速存儲板高速數(shù)據(jù)輸入輸出接口，SRIO接口作為存儲板對內(nèi)輸入輸出高速接口，144位DDR3陣列作為高速緩存單元，從而實現(xiàn)高速存儲流程。

【產(chǎn)品功能】

1)   提供不小于512GB的存儲容量，支持一個主機存儲數(shù)據(jù)，多個主機訪問數(shù)據(jù)；

【產(chǎn)品性能】

?  有效容量：≥512GB；

?  支持?jǐn)?shù)據(jù)讀取、回放校驗；

?  支持?jǐn)?shù)據(jù)冗余存儲；

?  最大支持4個SRIO x4端口，端口速率最大支持20Gbps；

?  記錄數(shù)據(jù)碼率：≥5Gbps；

?  記錄誤碼率：優(yōu)于1×10-10;

?  存儲/緩存單元容量

1) DDR3：10GB；

2) QSPI：256M-bit Serial Flash；

3) EMMC：768GB；

?  電源：12VDC，4000mA；

?  物理尺寸：234*174*24mm（帶外殼）；

【應(yīng)用領(lǐng)域】

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于星載/箭載/機載等航空電子設(shè)備、地面設(shè)備等需要用到高速輸入、高速存儲的場合，可存儲各個單機模塊的數(shù)據(jù)，組合完成不同任務(wù)。