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DDR1
大容量DDR1是高速、高存儲(chǔ)密度的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，由1個(gè)或多個(gè)DDR1基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
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產(chǎn)品特性 |
總?cè)萘浚?/span>1G~8G;
訪問(wèn)速度：最快達(dá)7.5ns；
數(shù)據(jù)寬度：8位，16位，72位；
電源電壓：2.5V；
典型產(chǎn)品輻照指標(biāo)：
TID: ＞50 krad（Si）
SEL: ＞80 Mev·cm2/mg
SEU: ＞0.7 Mev·cm2/mg
工作溫度：-55℃~105℃。
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產(chǎn)品列表 |
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# |
DDR1 |
存儲(chǔ)容量（bit） |
存儲(chǔ)組織 |
電壓 |
訪問(wèn)速度 |
抗輻射 |
封裝 |
溫度等級(jí) |
篩選等級(jí) |
質(zhì)量等級(jí) |
||
|
TID 1 |
SEL 2 |
SEU 3 |
||||||||||
|
1 |
VD1D1G16xS66xx1T7B |
1G |
64M*16 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP66 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
2 |
VD1D2G16xS66xx2T7B |
2G |
128M*16 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP66 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
3 |
VD1D2G32xS86xx2T7B |
2G |
64M*32 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP86 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
4 |
VD1D8G08xS66xx8T7B |
8G |
1G*8 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP66 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
5 |
VD1D8G08xS66xx8T7B-Ⅱ |
8G |
1G*8 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP66 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
6 |
VD1D8G16xS78xx8T7B |
8G |
512M*16 |
2.5V |
7.5 ns |
>50 |
>80 |
>0.7 |
SOP78 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose（Krads(Si)）
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相關(guān)下載 |
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VD1D1G16xS66xx1T7B user manual.pdf |
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VD1D2G16xS66xx2T7B user manual.pdf |
|
VD1D2G32xS86xx2T7B user manual.pdf |
|
VD1D8G08xS66xx8T7B user manual.pdf |
|
VD1D8G08xS66xx8T7B user manual.pdf |
|
VD1d8G16xS78xx8T7B user manual.pdf |
|
立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf |
|
立體封裝模塊加固建議.pdf |
|
立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf |
|
立體封裝模塊自動(dòng)回流焊裝配規(guī)范.pdf |
4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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